در کف سطح ویفر، پروفایل دمایی ملایم، ابعاد حیاتی فوتورزیست و پروفایل دیوارههای آن را تعیین میکند. تغییرات جزئی در دما، منجر به تغییراتی در عرض خطوط چاپ شده میشود؛ این تغییرات در فرآیند حکاکی نیز پدیدههای نامطلوبی ایجاد میکنند. ما پنل گرمایشی سرامیکی خود را طوری طراحی کردهایم که این نوسانات را از بین ببرد.
هسته این پنل، یک عنصر سرامیکی با تابش بالا است؛ همچنین از موجهای مادون قرمز کوتاه برای گرمایش استفاده شده است. به این ترتیب، گرمایش سریع و مستقیمی ایجاد میشود، در حالی که جرم حرارتی کمی وجود دارد. در سراسر سطح ویفر، یکنواختی دما در محدوده ±۰.۱ درجه سانتیگراد است؛ همچنین قابلیت تکرار دما نیز در محدوده ±۰.۲ درجه سانتیگراد باقی میماند، حتی در شرایط کار ۲۴/۷.
این پنل در اتاقهای تمیز درجه ۱ تا ۱۰۰ نیز کاربرد دارد. سطح سرامیکی بسته و موادی که گاز کمی تولید میکنند، باعث کنترل تعداد ذرات میشوند؛ در نتیجه، در طول فرآیندهای مختلف، هیچ ذرهای تولید نمیشود. پاسخگویی این پنل سریع است؛ بنابراین میتوانید دمای مورد نیاز برای فرآیندهای گرمایشی را به راحتی تنظیم کنید، بدون اینکه از حد مجاز خارج شوید.
چه در فرآیندهای لیتوگرافی و چه در ایستگاههای گرمایشی مستقل، این کنترل دمایی منجر به کنترل پایدار ابعاد فوتورزیست، کاهش نقصهای آن، و انتخاب دقیق فرآیند حکاکی میشود. همچنین، چرخههای گرمایشی سریعتر انجام میشود، بدون اینکه از یکنواختی پروفایل دما کاسته شود. استفاده از این پنل، منجر به کاهش مصرف انرژی و کمتر شدن مشکلات نگهداری میشود. در هر بار کار و در هر محموله، پروفایل دمایی قابل تکرار است؛ بنابراین میتوانید فرآیندهای خود را در زمان مناسب انجام دهید.
فقط باید به محدودیتهای عملی توجه کنید. این پنل نیاز به تجهیزاتی با جرم حرارتی کم و سیستمهای الکتریکی مناسب دارد تا چرخه حرارتی سالم باقی بماند. محدودیتهای نصب نیز بسیار دقیق هستند؛ در محدوده ۰.۱ میلیمتر. همچنین، باید از مواد مناسب برای کنترل گازهای تولید شده استفاده کرد.
با تنظیم صحیح، این پنل میتواند به راحتی در سیستمهای موجود قرار گیرد و کنترل دمایی مورد نیاز فرآیندهای لیتوگرافی و حکاکی را فراهم کند.