<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Fotoresist on Patio Infrared Heating Masters</title>
		<link>http://patio-ir-master.com/ms/tags/fotoresist/</link>
		<description>Recent content in Fotoresist on Patio Infrared Heating Masters</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ms</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Mon, 29 Jun 2026 02:44:27 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://patio-ir-master.com/ms/tags/fotoresist/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Lampu inframerah terbaik untuk penggunaan dalam proses fotorezist.</title>
				<link>http://patio-ir-master.com/ms/posts/best-infrared-lamp-for-photoresist/</link>
				<pubDate>Mon, 29 Jun 2026 02:44:27 +0800</pubDate>
				<guid>http://patio-ir-master.com/ms/posts/best-infrared-lamp-for-photoresist/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://patio-ir-master.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png&#34; alt=&#34;Lampu inframerah terbaik untuk penggunaan dalam proses fotorezist.&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di bilik litografi, perubahan suhu sebanyak 1°C semasa proses pembakaran boleh menyebabkan perubahan pada dimensi kritikal bahan tersebut, dan perubahan ini boleh berlaku dalam skala nanometer. Ini sudah cukup untuk memusnahkan keseluruhan produk yang dihasilkan, tanpa kita sedari. Proses pembakaran lembut digunakan untuk menetapkan profil bahan fotorezist, manakala proses pembakaran keras pula digunakan untuk mengunci profil tersebut. Kedua-dua proses ini tidak akan berkesan jika suhu tidak seragam di seluruh permukaan wafer – bukan hanya di bahagian tertentu sahaja.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
