Out on the fab floor, a single water mark after CMP is enough to kill yield. Conventional drying leaves behind micro-droplets or stirs up particles that foul the next lithography step. We built our Post-CMP wafer drying heater to stop that loss where it starts. What matters under the hood We hit the wafer with short-wave infrared emitters, giving sub-millimeter thermal uniformity across the whole surface. Temperature stays within ±0.1°C, so run-to-run consistency is baked into the process. The unit runs in Class 1–100 cleanrooms without spiking particle counts—zero particle generation during the drying cycle. Repeatability isn’t an add-on. It’s engineered in. Why it fits the process After CMP, the wafer is carrying slurry residue and water, and you need both gone without damaging interconnects or the photoresist stack. Our heater dries fast, staying inside the thermal budget of sensitive films. You end up with a stable contact angle and surface energy, which keeps photoresist adhesion solid for the next coat. Faster cycle time, fewer reworks, and lower energy per batch—because the energy goes straight where it needs to. What you need to watch The heater drops into standard tracks, but you still have to verify alignment to the process chamber and the gas flow path during install. Expect a short tuning window per recipe to dial in ramp rates and dwell time; once that’s set, the process stays locked. Operators should keep an eye on emitter output with an in-line pyrometer to maintain calibration over long runs. We designed this for the fab, where the margin for error is measured in nanometers. If your line can’t afford wet defects after CMP, this dryer keeps the process honest.
บนพื้นโรงงาน รอยน้ำเพียงจุดเดียวหลังการทำ CMP ก็เพียงพอที่จะทำให้ผลผลิตเสียหายได้ การอบแห้งแบบเดิมมักทิ้งละอองน้ำขนาดเล็กไว้หรือก่อให้เกิดฝุ่นละอองที่รบกวนกระบวนการลิโธกราฟีขั้นถัดไป เราได้พัฒนาตัวทำความร้อนสำหรับอบแห้ง wafer หลังการ CMP เพื่อหยุดการสูญเสียนี้ตั้งแต่ต้นทาง
สิ่งที่สำคัญภายในเครื่อง
เราใช้ตัวปล่อยรังสีอินฟราเรดคลื่นสั้นส่อง wafer เพื่อให้ความร้อนกระจายอย่างสม่ำเสมอในระดับต่ำกว่า 1 มม. ทั่วทั้งพื้นผิว อุณหภูมิจะรักษาให้อยู่ในช่วง ±0.1°C ทำให้การทำงานแต่ละครั้งมีความสม่ำเสมอในระดับที่คุมได้ หน่วยนี้สามารถทำงานในห้องสะอาด Class 1–100 ได้โดยไม่เพิ่มจำนวนฝุ่นละออง ขณะอบแห้งไม่มีการสร้างฝุ่นเลย ความสามารถในการทำซ้ำไม่ใช่ฟีเจอร์เสริม แต่วางแผนและออกแบบมาให้ตั้งแต่ต้น
เหตุผลที่เหมาะกับกระบวนการ
หลังการ CMP wafer จะมีสารตกค้างของ slurry และน้ำที่ต้องกำจัดออกโดยไม่ทำลายการเชื่อมต่อหรือชั้น photoresist ตัวทำความร้อนของเราช่วยให้อบแห้งได้รวดเร็ว ภายในงบประมาณความร้อนที่รองรับฟิล์มที่ไวต่อความร้อน คุณจะได้มุมสัมผัสและพลังงานผิวที่คงที่ ซึ่งช่วยให้การยึดเกาะของ photoresist คงที่สำหรับการเคลือบในขั้นตอนถัดไป
เวลาทำงานที่เร็วขึ้น ลดงานแก้ไขซ้ำ และใช้พลังงานต่อชุดน้อยลง เนื่องจากพลังงานถูกส่งตรงไปยังจุดที่ต้องการ
สิ่งที่ต้องเฝ้าระวัง
ตัวทำความร้อนติดตั้งลงในระบบ track มาตรฐาน แต่ต้องตรวจสอบการจัดตำแหน่งกับห้องกระบวนการและเส้นทางการไหลของก๊าซในระหว่างการติดตั้ง ควรเผื่อเวลาปรับจูนสั้น ๆ ต่อสูตรการทำงาน เพื่อปรับอัตราการเพิ่มอุณหภูมิและเวลาค้าง หลังจากตั้งค่าแล้ว กระบวนการจะถูกล็อก
ผู้ปฏิบัติงานควรตรวจสอบค่าการปล่อยรังสีของ emitter ด้วยไพโรมิเตอร์แบบ inline เพื่อรักษาการสอบเทียบในระยะยาว
เราออกแบบอุปกรณ์นี้สำหรับโรงงานที่ความคลาดเคลื่อนถูกวัดเป็นนาโนเมตร หากสายการผลิตของคุณไม่สามารถทนต่อข้อบกพร่องจากน้ำหลัง CMP ได้ เครื่องอบแห้งนี้จะทำให้กระบวนการมีความมั่นคงและเชื่อถือได้