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Aquecimento zonal para fabricação avançada de wafers

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No piso de litografia, uma variação de 0,3°C na temperatura do wafer durante o soft bake pode deslocar o perfil do fotoresiste em nanômetros—e essa é...
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No chão da fábrica, uma única marca de água após o CMP é suficiente para comprometer o rendimento. A secagem convencional deixa microgotas ou agita...
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No piso de litografia, uma pastilha de 300 mm segue do processo de coating ao bake sincronizada com o takt da linha. Soft bake a 90 °C, hard bake a...
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