先进晶圆厂的分区加热

在光刻车间，软烘过程中晶圆温度偏移0.3°C即可导致光刻胶轮廓偏移纳米级差异——这往往成为成品率与报废的分水岭。我们为先进晶圆厂设计了区域加热系统，以消除这种不确定性。 关键技术指标 该系统采用短波卤素石英发射器，支持独立分区控制，实现快速响应，并在90°C至250°C的设定温度范围内维持晶圆级均...